Twee jaar geleden zouden de onderzoekers al de dunste geheugenchip gemaakt te hebben. Nu zou elke geheugeneenheid nog maar een oppervlak hebben van een vierkante nanometer (1 nm= 10-9m). Die superverkleining zou mogelijk gemaakt zijn door, vreemd genoeg, fouten (gaten) in het materiaal. “Als een metaalatoom in zo’n gat gaat zitten dan draagt dat aan de geleidbaarheid bij”, zegt Deji Akinwande. “Dat leidt tot een verandering van het geheugeneffect.” Hoewel de onderzoekers molybdeensulfide als nanomateriaal gebruikten denken ze dat hun ontdekking ook toe te passen is bij honderden andere materialen met de dikte van een atoom.
Atomristor
De atoomdunne geheugenchip, die de onderzoekers atomristor hadden gedoopt, was twee jaar geleden de dunste ooit gemaakt. Akinwande: “Die verkleining gaat door totdat een enkel atoom de geheugenfunctie bezit en dat hebben we hier bereikt.”
Het geheugensysteem dat de onderzoekers gebruikten valt in de categorie memristors, geheugenelementen die hun ‘oorsprong’ vinden in de theoretische natuurkunde en die werken met variabele weerstanden. Met die memristors (een maakwoord van de Engelse woorden voor geheugen en weerstand) slaagden de onderzoekers er in om om op 1 cm2
25 terabits aan gegevens op te slaan, een geheugendichtheid die honderd keer hoger zou zijn dan de momenteel verkrijgbare flashgeugens (die kennelijk qua datadichtheid hoog scoren; as). Bron: EurekAlert